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数据掉电保护
当服务器进行大量写操作时，由于将数据写入高速缓存的速度大于数据写入硬盘的速度。
- 开启高速缓存可提升整机写性能，当服务器写压力减小或高速缓存将写满时，数据再由高速缓存写入硬盘。
- 开启高速缓存提升写性能的同时，也增大了数据丢失的风险，在整机意外掉电时，高速缓存中的数据将会丢失。
为了提升整机的高读写性能和高速缓存中数据的安全，可为RAID卡配置电池或超级电容。
电池/超级电容只有在高速缓存的电压低于预定值时，才开始对高速缓存供电；一旦高速缓存的电压上升至预定值以上，将会由RAID卡直接对高速缓存供电。这样就可以保证在服务器意外掉电时，电池/超级电容对高速缓存供电，确保数据安全；在服务器正常上电时，RAID 卡对高速缓存供电，确保缓存正常使用。
LSI SAS2208提供如下两种掉电保护方式：
- 电池保护单元（Intergrated battery Backup Unit, iBBU）的原理是在发生系统意外掉电时，iBBU为高速缓存供电，等待恢复系统供电后，再把高速缓存中的数据刷写到磁盘中。受电池电量的限制，iBBU只能为高速缓存数据提供有限时长的保护，常见为12小时、24小时、48小时、72小时等。若超过此时长而系统供电还不能恢复，则很有可能发生数据丢失。
- 超级电容保护模块（Supercapacitor）的原理是在发生系统意外掉电时，利用其超级电容供电，将高速缓存中的数据写入 Supercapacitor模块中的NAND Flash中。由于Flash是非易失性存储介质，因此Supercapacitor几乎可以为高速缓存数据提供永久性的保护。
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