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华为V2&V3服务器 RAID 控制卡 用户指南 36

本文档介绍RAID控制扣卡LSI SAS2208、LSI SAS2308、LSI SAS3008、LSI SAS3108、LSI SoftRAID、PM8060、PM8068的外观及特性、如何配置RAID、如何安装驱动软件等信息。
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数据掉电保护

数据掉电保护

掉电保护的原理

数据写入高速缓存的速度大于数据写入硬盘的速度,一次在服务器进行大量写操作时,都使用高速缓存来提升系统性能。

  • 开启高速缓存可提升整机写性能,当服务器写压力减小或高速缓存将写满时,数据再由高速缓存写入硬盘。
  • 开启高速缓存提升写性能的同时,也增大了数据丢失的风险,在整机意外掉电时,高速缓存中的数据将会丢失。

为了提升整机的高读写性能和高速缓存中数据的安全,可为RAID卡配置超级电容。超级电容保护模块的原理是在发生系统意外掉电时,利用其超级电容供电,将高速缓存中的数据写入超级电容模块中的NAND Flash中。

超级电容电量校准

由于数据保护需要超级电容的配合,为了记录超级电容的放电曲线,以便RAID卡了解超级电容的状态,例如最大和最小电压等,同时为了延长超级电容的寿命,RAID卡默认启动超级电容自动校准模式。

RAID卡通过如下所述的三段式充放电操作对超级电容的电量进行校准,使其保持在一个相对稳定的值。

  1. RAID卡将超级电容的电量充到最大值。
  2. 自动启动校准进程,将超级电容完全放电。
  3. 重新开始充电,直至达到最大电量。

超级电容电量校准过程中,RAID卡写策略自动调整为“WT”模式以保证数据完整性,此时RAID卡性能会降低。电量校准的周期取决于超级电容充放电速度。

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更新时间:2019-11-01

文档编号:EDOC1000004345

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